Flash ROM 是近些年应用最广、速度最快的只读存储器，原理是从 EEPROM 基础上改进发展来的，特点是擦除和编程速度快，因此得名为闪速（或闪烁）存储器，简称闪存。

存储区域

描述 Flash 的存储区域常用到扇区、块这些专用名词，其实是从早期的软盘、硬盘等存储器发展而来，目的是将一个存储器划分为多个区域，更方便的编程管理这些存储单元。

根据容量大小来说，它们的关系是  页（Page）< 扇区（Sector） < 块（Block）< 芯片（Chip）

通常的换算关系如下：

常用 FLASH 型号大小如下

写入和擦除

Flash 写入数据时和 EEPROM 类似，不能跨页写入，一次最多写入一页，如 W25Q128 的一页是 256 字节。写入数据一旦跨页，必须在写满上一页的时候，等待 Flash 将数据从缓存搬移到非易失区，重新再次往里写。写入时的最小单位：1 Byte，即一次可写入 1~256 Byte 的任意长度字节。

未进行写入时，FLASH 里面的数据为全 1，即 0xFF。写入数据时只能将 1 写入为 0，而不能将 0 写入为 1，只能先进行擦除再重新写入。如对于 0xF0（1111 0000），只有高 4 位可写入，低 4 位不可直接写入。

Flash 擦除数据时的最小单位通常为扇区，也可选择按块或全片擦除。

引脚功能

如图为常见的 8pin flash 芯片引脚。

• CS：chip select 片选. CS 拉高时，芯片处理省电模式，各数据引脚 (D0/D1/D2/D3) 处理高阻态；CS 拉低时芯片工作，数据引脚可以传输数据。
• DO：(在 CLK 下降沿) 输出数据或状态。正常情况下只有 DI/DO 作为 IO 引脚，启用 Quad 模式需要置 QE (Quad Enable) 位. QE=1 时，WP 和 HOLD 分别变为 IO2,IO3.
• WP：低电平有效，保护状态寄存器不被写入。
• GND：接地
• DI：(在 CLK 上升沿) 向 Flash 输入指令，地址 或 数据.
• CLK：提供输入输出操作的同步时钟.
• HOLD：当多个芯片共用 SPI 总线时非常有用. HOLD 为低电平时，DO 引脚变为高阻态，且此时 DI/CLK 上的信号被忽略。相当于芯片此时不工作。假设对一个 SPI FLASH 的页写操作只进行到一半，此时一个中断来了，另一个更高优先级的任务要占用 SPI 总线，此时就可以使用 HOLD 拉低来暂停 SPI FLASH 内部的工作，等到任务切换回来再让操作继续下去.
• VCC：通常 2.7 ~ 3.6V